图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB10N40由Motorola设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB10N40价格参考。MotorolaNTB10N40封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTB10N40参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTB10N40 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB10N40 是摩托罗拉(MOTOROLA)早期推出的 N 沟道增强型垂直双扩散 MOSFET(VDMOS),现已由 ON Semiconductor(安森美)承接产品线。其主要参数为:耐压 400V、连续漏极电流 10A(Tc=25℃)、Rds(on) 典型值约 0.45Ω,采用 TO-220AB 封装。 该器件适用于中功率开关应用,典型场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):作为主开关管用于反激式(Flyback)或正激式(Forward)AC-DC 适配器、LED 驱动电源(≤30W),兼顾效率与成本; ✅ 电机控制:驱动小型直流有刷电机(如家电风扇、电动工具、办公设备),配合PWM实现调速; ✅ 继电器/电磁阀驱动:替代机械触点,实现高频、长寿命的通断控制; ✅ 逆变与DC-AC转换:在小功率离网逆变器或UPS后备电路中用作半桥下管(需配对使用及完善驱动/保护); ✅ 电感负载开关:如电子镇流器、充电器中的功率级切换。 注意:NTB10N40 属于较早一代MOSFET,无内置ESD保护和雪崩额定值(非Rugged型),设计时需外加TVS、RC缓冲网络及栅极限流电阻,并确保充分散热(尤其在连续导通或高频工作时)。当前新设计建议参考安森美同系列升级型号(如 NTB10N40G 或更优的高能效平台),以获得更好热性能与可靠性。