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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVBAS19LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVBAS19LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVBAS19LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSVBAS19LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSVBAS19LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVBAS19LT1G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单整流二极管,属于小信号肖特基二极管。该器件具有低正向压降、快速开关特性和小型封装,适用于多种电子电路中的信号整流和保护应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、电池充电器等电路中,实现高效的能量转换。 2. 电压检测与钳位电路:在模拟或数字电路中用作电压采样或限制输入电压范围,防止过压损坏后续电路。 3. 信号整流:在通信设备、传感器模块中对交流信号进行整流处理。 4. 极性保护:用于防止电源反接造成的损坏,常见于便携式电子产品和工业控制设备中。 5. 嵌入式系统与消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、智能家居设备等,因其小型封装(SOD-123)节省PCB空间。 6. 汽车电子:由于其工作温度范围宽,也可应用于车载电源系统或辅助电子模块中。 总结来说,NSVBAS19LT1G凭借其高性能与小型化优势,广泛应用于通信、消费电子、工业控制及汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE SWITCHING 120V 200MA SOT23 |
产品分类 | 单二极管/整流器 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NSVBAS19LT1G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 200mA |
不同 Vr、F时的电容 | 5pF @ 0V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 100V |
二极管类型 | 标准 |
供应商器件封装 | * |
包装 | * |
反向恢复时间(trr) | 50ns |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
标准包装 | 3,000 |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 120V |
电流-平均整流(Io) | 200mA(DC) |
速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |