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- 型号： NSV40200UW6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV40200UW6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV40200UW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSV40200UW6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV40200UW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV40200UW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV40200UW6T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压NPN双极结型晶体管（BJT），专为高可靠性与高温环境设计，常用于汽车电子和工业应用。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子系统：该器件符合AEC-Q101汽车级标准，适用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块、继电器驱动、车灯控制（如HID/LED照明）等车载高压开关电路，能在-55°C至+150°C的宽温范围内稳定工作。 2. 电源管理：在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节器中用作高压开关或驱动元件，支持高达400V的集电极-发射极耐压，适合处理瞬态高压和感性负载。 3. 工业控制：广泛应用于工业电机驱动、电磁阀控制、PLC输出模块等需要高电压隔离和可靠开关性能的场合。 4. 消费类高压设备：可用于电视、显示器中的高压生成电路或其它需快速开关响应的高压负载驱动。 NSV40200UW6T1G采用SOT-563（SC-88）小型封装，节省空间，适合高密度电路设计。其高增益、低饱和压降特性提升了能效，同时具备良好的热稳定性，确保长期运行可靠性。综合来看，该器件特别适用于对安全性、耐用性和温度适应性要求较高的严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 40V 2A 6WDFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV40200UW6T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 20mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 875mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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