Datasheet下载- 型号： NSV20200LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV20200LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV20200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSV20200LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV20200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV20200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV20200LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高频双极结型晶体管（BJT），常用于射频（RF）和高速开关应用。其主要应用场景包括： 1. 射频功率放大器：适用于无线通信系统中的射频信号放大，如蜂窝基站、无线接入设备等。 2. 高频开关电路：因其具备良好的高频响应特性，可用于高速开关电源或高频逆变器设计中。 3. 电视和显示器电路：在CRT或LCD显示器的水平偏转电路中作为开关管使用。 4. 工业控制与电源管理：用于工业自动化设备中的高频控制电路或电源转换模块。 5. 汽车电子：适用于车载娱乐系统、车载通信模块等需要高频性能的汽车电子设备。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小、可靠性高，适合高频率和中等功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 20V 2A SOT-23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSV20200LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 180mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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