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产品简介:
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NSV1C300ET4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型单晶体管,采用SOT-23封装,具有高可靠性与稳定性。该器件专为汽车级应用设计,符合AEC-Q101标准,适用于严苛的工业与车载环境。 其主要应用场景包括:汽车电子系统,如车身控制模块、车灯驱动、继电器或电机驱动电路;工业控制领域中的信号放大与开关电路;电源管理模块中用于低功率开关操作;以及消费类电子产品中的小型驱动电路。由于具备优良的开关特性和温度稳定性,NSV1C300ET4G特别适合在高温、高可靠性要求的环境中使用。 此外,该器件还广泛应用于传感器接口电路、逻辑电平转换和小信号放大等场景。因其环保特性(无铅、符合RoHS标准),也适用于对环保要求较高的现代电子设备。 综上,NSV1C300ET4G是一款高性能、高可靠性的通用NPN晶体管,广泛服务于汽车、工业与消费类电子中的低功率开关与放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 3A 3DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C300ET4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 100MHz |