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- 型号： NSTR4501NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSTR4501NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSTR4501NT1G价格参考。ON SemiconductorNSTR4501NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSTR4501NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSTR4501NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSTR4501NT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型小信号MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.6Ω @ VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.1nC）及快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流达0.2A（Ta=25°C），适合低压、小功率场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口负载开关； ✅ 逻辑电平转换与信号切换：在3.3V/5V系统中作为低侧开关，实现微控制器（如STM32、ESP32）GPIO直接驱动的数字信号通断控制； ✅ DC-DC转换器辅助电路：用于同步整流、使能控制（EN引脚开关）或反馈环路中的精密电流检测开关； ✅ 电池保护与充放电管理：在单节锂电（≤4.2V）应用中作充电路径选择开关或过流保护开关； ✅ 工业与消费类传感器接口：驱动小型继电器、光电耦合器或低功耗传感器模块的供电通断。 该器件具备ESD防护（HBM ≥2kV），SOT-23封装节省PCB空间，支持高速开关（ton/toff <20ns），且成本优化，广泛用于对尺寸、效率和可靠性有要求的中低功率嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSTR4501NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 3.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
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