Datasheet下载- 型号： NSS60200LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS60200LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS60200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSS60200LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS60200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS60200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS60200LT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关应用 - NSS60200LT1G 可用于低功率的开关电路中，例如驱动小型继电器、LED 或其他低功耗负载。由于其具有良好的开关速度和较低的饱和电压，能够高效地实现通断控制。 2. 信号放大 - 作为一款 NPN 类型的 BJT，它可以用于音频信号或其他小信号的放大。在需要对微弱信号进行放大的场景中，例如麦克风信号预处理或传感器信号增强，这款晶体管可以提供稳定的增益性能。 3. 电源管理 - 在简单的电源管理电路中，例如电池充电指示器或电流限制电路，NSS60200LT1G 可以充当关键元件。它能够调节电流并保护下游设备免受过流损坏。 4. 电机驱动 - 对于小型直流电机或步进电机，NSS60200LT1G 可以用作驱动晶体管。通过 PWM（脉宽调制）信号控制，它可以实现电机的速度调节和方向切换。 5. 恒流源/恒压源 - 该晶体管可用于构建恒流源或恒压源电路，为 LED 灯串、激光二极管等需要稳定电流或电压的设备供电。 6. 保护电路 - 在一些保护电路中，例如过流保护或短路保护，NSS60200LT1G 可以作为一个关键组件来切断异常情况下的电流路径，从而保护整个系统。 总结 NSS60200LT1G 的主要特点包括高增益、低饱和电压以及出色的热稳定性，使其非常适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域中的低功耗、低成本设计。具体使用时，需根据实际需求选择合适的外围电路以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 4A SOT-23两极晶体管 - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 4.0A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NSS60200LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSS60200LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | NSS60200LT1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 540 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | NSS60200LT1G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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