Datasheet下载- 型号： NSS20500UW3TBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS20500UW3TBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS20500UW3TBG价格参考。ON SemiconductorNSS20500UW3TBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS20500UW3TBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS20500UW3TBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS20500UW3TBG 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要应用于需要高频率和高性能的模拟及射频（RF）电路中。 典型应用场景包括： 1. 射频放大器：适用于无线通信系统中的射频信号放大，如基站、无线接入设备等，具有良好的高频响应和线性放大能力。 2. 低噪声前置放大器：在接收机前端用于放大微弱信号，具有低噪声系数，有助于提高系统整体的信噪比。 3. 功率放大器：在中低功率射频应用中作为驱动放大器使用，适用于无线基础设施和工业控制系统。 4. 高频开关电路：可用于高速开关应用，如数据通信设备中的信号切换。 5. 测试与测量设备：广泛用于频谱分析仪、信号发生器等测试仪器中，作为关键的信号处理元件。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-323），适合高密度PCB布局，适用于自动化装配流程。其优良的高频特性和可靠性，使其在通信、工业控制、消费电子等多个领域中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 20V 5A 3WDFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSS20500UW3TBG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 260mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 875mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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