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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSDEMP11XV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSDEMP11XV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSDEMP11XV6T1价格参考。ON SemiconductorNSDEMP11XV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSDEMP11XV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSDEMP11XV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSDEMP11XV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双共阴极肖特基势垒整流器阵列，采用SOT-563封装，含两个独立的肖特基二极管（共阴极结构），典型正向压降低至约0.38 V（IF = 100 mA），反向耐压为30 V，最大平均整流电流为200 mA/二极管。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表等中，用于USB接口或电池充电路径中的反向电流阻断（OR-ing）及高效同步整流； ✅ DC-DC转换器输出整流：在低压、高效率的降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中，替代传统整流二极管以降低导通损耗，提升能效； ✅ 负载开关与电源路径控制：利用其低VF特性实现低损耗电源自动切换（如主电源与备份电池间切换）； ✅ LED驱动与传感器供电电路：在空间受限的IoT节点或可穿戴设备中，提供紧凑、低热耗的整流/钳位功能； ✅ ESD保护辅助电路：虽非主打防护器件，但其低结电容与快速响应特性可配合TVS用于输入端初级整流+箝位协同设计。 该器件强调小尺寸（1.6×1.6×0.55 mm）、低功耗与高可靠性，适用于对PCB面积、温升和能效敏感的电池供电类应用。不适用于高压、大电流或工频整流场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ARRAY 80V 100MA SOT563 |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSDEMP11XV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 70V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 2 对共阳极 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSDEMP11XV6T1OSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q2027131/SMSIGDIODEA-KIT-ND/700372 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 100mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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