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产品简介:
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NSBC143TPDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,采用SOT-563封装(6引脚),内部集成两个NPN晶体管,每路均内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型R1 = 4.7 kΩ,R2 = 4.7 kΩ),实现单电源下直接驱动,无需外置偏置电阻。 该器件主要应用于空间受限、需简化设计的低功耗数字逻辑接口与信号切换场景,典型用途包括: - 微控制器I/O端口扩展:驱动LED指示灯、小型蜂鸣器或继电器线圈; - 电平转换与信号缓冲:在3.3 V/5 V系统中实现TTL/CMOS电平兼容的开关控制; - 消费类电子:如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的背光控制、按键扫描、传感器使能信号管理; - 工业与家电控制板:用于光电耦合器输入级驱动、小功率负载(<100 mA)的通断控制; - 汽车电子(AEC-Q101认证版本需确认具体型号):适用于车身控制模块(BCM)中非安全关键的舱内照明或状态指示电路。 其预偏置结构显著减少PCB面积与BOM数量,提升可靠性与量产一致性。最大连续集电极电流为100 mA(每通道),VCEO=50 V,适用于中低速开关(fT ≈ 250 MHz),不适用于高频放大或大功率开关应用。设计时需注意功耗(Pd ≤ 350 mW)及热降额。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143TPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143TPDXV6OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |