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- 型号： NSBC143EPDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143EPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143EPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC143EPDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143EPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143EPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143EPDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个NPN晶体管，每路均内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型R1=47 kΩ，R2=47 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化电路并提升响应速度； 2. LED指示灯/背光控制：双通道结构便于同步或独立控制多路LED，内置电阻避免过流，提高可靠性与PCB空间利用率； 3. 低功耗开关应用：在便携式设备（如智能穿戴、遥控器、传感器节点）中用作高效、紧凑的信号开关，支持3.3 V/5 V系统； 4. 输入信号调理与缓冲：用于抗干扰、电平整形及电流放大，尤其适合对BOM精简和贴片效率要求高的消费类与工业控制板。 该器件具备高增益（hFE典型值80–200）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.3 V @ IC = 10 mA）、ESD防护（HBM > 2 kV）及AEC-Q200兼容性（部分批次），亦可用于车规级辅助电子模块（如车身控制、照明管理）。无需外置偏置电阻，显著降低设计复杂度与贴装成本，是替代分立三极管+电阻方案的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143EPDXV6T1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143EPDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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