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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBC123JDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123JDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123JDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC123JDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC123JDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC123JDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌的NSBC123JDXV6T1是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=22kΩ、R2=22kΩ），采用SOT-563（SC-89）封装，含两个独立NPN通道，具有高集成度、简化外围设计和优良开关特性。 该器件典型应用于中小功率数字逻辑接口与信号切换场景，如： - 微控制器（MCU）或FPGA的I/O端口驱动扩展，用于电平转换或增强驱动能力； - LED数码管、段式LED或小型LED阵列的动态扫描驱动（因双通道可协同控制位选与段选）； - 电池供电便携设备中的低功耗开关电路（如电源通断控制、传感器使能管理）； - 工业控制板卡中继电器/小电磁阀的驱动级，替代分立偏置电路，节省PCB面积并提升可靠性； - 消费电子（如打印机、机顶盒、智能家电）中按键扫描、状态指示及蜂鸣器驱动等通用开关功能。 其预偏置结构免除了外接基极限流电阻，降低BOM成本与贴片风险，适合高密度、低成本、快速量产的设计需求。需注意其最大集电极电流约100mA（每通道），不适用于大电流或线性放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123JDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123JDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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