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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC123EDXV6T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC123EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC123EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC123EDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个NPN晶体管,每路集成基极-发射极电阻(R1=2.2kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=47kΩ),采用SOT-563(SC-89)超小型封装。 其典型应用场景包括: ✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动:可直接连接微控制器(如STM32、PIC、Arduino)GPIO,无需外置偏置电阻,简化PCB设计,驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极。 ✅ 信号开关与多路控制:双通道结构适合需同步/独立控制两路低电流负载的场合,如状态指示灯切换、传感器使能控制、I²C总线缓冲等。 ✅ 消费电子与便携设备:超小尺寸(1.6×1.6×0.6 mm)及低功耗特性,广泛用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的空间敏感电路。 ✅ 工业与家电控制模块:在电机启停信号调理、按键扫描矩阵、电源时序控制等中替代分立三极管+电阻方案,提升可靠性与一致性。 该器件具备±50mA连续集电极电流(IC)、50V VCEO耐压、典型hFE为160–470,支持-55℃~+150℃工作温度,符合AEC-Q101车规级可靠性标准(部分批次),亦适用于严苛环境下的工业应用。 简言之,NSBC123EDXV6T1适用于对尺寸、BOM精简、设计效率有要求的中小功率开关与信号调理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC123EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 5mA,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC123EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |