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  • 型号: NSBC123EDXV6T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC123EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC123EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC123EDXV6T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSBC123EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSBC123EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBC123EDXV6T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个NPN晶体管,每路集成基极-发射极电阻(R1=2.2kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=47kΩ),采用SOT-563(SC-89)超小型封装。

其典型应用场景包括:  
✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动:可直接连接微控制器(如STM32、PIC、Arduino)GPIO,无需外置偏置电阻,简化PCB设计,驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极。  
✅ 信号开关与多路控制:双通道结构适合需同步/独立控制两路低电流负载的场合,如状态指示灯切换、传感器使能控制、I²C总线缓冲等。  
✅ 消费电子与便携设备:超小尺寸(1.6×1.6×0.6 mm)及低功耗特性,广泛用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的空间敏感电路。  
✅ 工业与家电控制模块:在电机启停信号调理、按键扫描矩阵、电源时序控制等中替代分立三极管+电阻方案,提升可靠性与一致性。  

该器件具备±50mA连续集电极电流(IC)、50V VCEO耐压、典型hFE为160–470,支持-55℃~+150℃工作温度,符合AEC-Q101车规级可靠性标准(部分批次),亦适用于严苛环境下的工业应用。  

简言之,NSBC123EDXV6T1适用于对尺寸、BOM精简、设计效率有要求的中小功率开关与信号调理场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NSBC123EDXV6T1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 5mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

8 @ 5mA,10V

供应商器件封装

SOT-563

其它名称

NSBC123EDXV6T1OS

功率-最大值

500mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

2 个 NPN 预偏压式(双)

标准包装

4,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

2.2k

电阻器-基底(R1)(Ω)

2.2k

频率-跃迁

-

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