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- 型号： NSBC114YPDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114YPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114YPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC114YPDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114YPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114YPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114YPDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563（SC-88）封装，内含两个独立的NPN晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 10 kΩ，R₂ = 10 kΩ），实现内置偏置，简化外围电路设计。 该器件主要应用于低功耗、空间受限的数字逻辑接口与信号切换场景，典型用途包括： ✅ 逻辑电平转换与驱动：在微控制器（如MCU、FPGA）I/O口驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极时，提供可靠开关功能，避免外接偏置电阻； ✅ 数字信号缓冲/反相：双通道结构支持并行信号处理，常用于消费电子（如电视遥控接收模块、智能家电控制板）中的状态指示或信号整形； ✅ 电池供电设备：低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA）和小静态电流特性，适用于便携式设备（如无线传感器节点、IoT终端）的电源管理与负载控制； ✅ 工业控制接口：在PLC输入模块或隔离IO板中作为光电耦合器后级驱动器，提升抗干扰能力与响应速度。 其ESD防护（HBM > 2 kV）、AEC-Q101兼容性（部分批次）及宽工作温度范围（–55°C 至 +150°C）也支持在汽车电子（如车身控制模块）和工业环境中稳定运行。 综上，NSBC114YPDXV6T1适用于需高集成度、小尺寸、快速开发的中小电流（≤100 mA）开关应用，是替代分立BJT+电阻方案的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114YPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114YPDXV6OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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