【未分类_NSBC114EPDP6T1G】封装/厂家_NSBC114EPDP6T1G中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： NSBC114EPDP6T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114EPDP6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114EPDP6T1G价格参考。ON SemiconductorNSBC114EPDP6T1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NSBC114EPDP6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114EPDP6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSBC114EPDP6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-363（SC-70）封装，内置10kΩ基极-发射极和10kΩ基极-集电极电阻（即“双电阻偏置晶体管”，RB = RC = 10 kΩ），属数字晶体管（Digital Transistor, DTR）类别。

其典型应用场景包括：  
✅ 逻辑电平接口与信号切换：可直接连接微控制器（如STM32、ESP32）的GPIO输出，无需外接基极限流电阻，简化PCB设计，常用于驱动LED指示灯、蜂鸣器或小功率继电器线圈。  
✅ 低功耗开关应用：最大连续集电极电流IC = 100 mA（DC），VCEO = -50 V，适用于便携式设备、电池供电系统中的负载开关（如背光控制、传感器使能）。  
✅ 电平转换与反相缓冲：作为反相器使用（输入高→输出低），配合上拉电阻实现3.3 V/5 V逻辑电平兼容。  
✅ 工业与消费类电子：广泛用于打印机、家电控制板、IoT终端、电源管理模块等对空间和BOM成本敏感的场景。

该器件具备ESD防护（HBM > 2 kV）、符合AEC-Q101（汽车级）标准（注：具体批次需查数据手册确认是否为车规版），支持无铅回流焊，适合自动化贴装。

注意：不适用于线性放大或高频射频应用；大电流或高温环境下需校核功耗（PD ≤ 200 mW）及热降额。

产品参数图文手册常见问题