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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBC113EDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC113EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC113EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC113EDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC113EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC113EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC113EDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-88）超小型6引脚封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括： - 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或DSP的GPIO扩展，将低电流逻辑信号（如1.8V/3.3V/5V）直接驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，省去外置基极限流电阻，简化PCB设计。 - 便携式电子设备的信号开关：广泛应用于智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等空间受限产品中，实现按键检测、状态指示（LED背光控制）、传感器使能信号切换等功能。 - 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO系统中，用于使能（EN）信号整形、欠压锁定（UVLO）反馈或故障标志输出级缓冲。 - 工业与消费类I/O扩展模块：作为总线端口的电平缓冲/反相驱动单元（因内部电阻配置支持饱和开关，典型hFE≈160，VCE(sat)≤0.3V @ IC=10mA），提升抗干扰能力与响应速度。 该器件具备±8kV HBM ESD防护（符合JEDEC JS-001），工作结温范围为−55°C至+150°C，适合高可靠性及小尺寸要求的应用。需注意其不适用于线性放大或高频射频场景，仅推荐用于开关模式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC113EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 5mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 3 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC113EDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | - |
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