Datasheet下载- 型号： NSBA143ZF3T5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143ZF3T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143ZF3T5G价格参考。ON SemiconductorNSBA143ZF3T5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143ZF3T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143ZF3T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NSBA143ZF3T5G是一款预偏置双极结型晶体管（BJT），集成了内置偏置电阻，简化电路设计。该器件属于NPN型，采用小型SOT-23F封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 开关电路：由于其内置偏置电阻，可直接通过逻辑电平信号驱动，广泛用于LED驱动、继电器控制、电源管理等低功率开关应用。 2. 信号放大：在低频模拟信号处理中作为小信号放大器使用，如传感器信号调理、音频前置放大等。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压逻辑之间的接口转换，例如将3.3V信号转换为5V系统可识别信号。 4. 便携设备：因其小型化封装和高可靠性，常用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源开关或负载控制。 5. 消费类电子产品：如家用电器控制板、遥控器、充电器等，用于实现高效的通断控制。 NSBA143ZF3T5G的优势在于减少外部元件数量、提高系统稳定性、降低生产成本，并具备良好的温度稳定性和可靠性。其集成电阻设计避免了传统分立偏置电路的复杂布线，特别适合自动化贴片生产和高密度PCB布局。 综上，该器件适用于对尺寸、功耗和可靠性要求较高的各类中低功率电子控制系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143ZF3T5G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-1123 |
| 功率-最大值 | 254mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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