Datasheet下载- 型号： NSBA143TDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143TDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143TDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA143TDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143TDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143TDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143TDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1/R2），采用SOT-563封装（6引脚），内含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用聚焦于小型化、高集成度的低功耗开关与信号电平转换场景： 1. 逻辑电平接口与驱动：常用于MCU/ASIC输出与LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极之间的缓冲/驱动，简化外围电路（无需外接基极限流电阻）； 2. LED指示灯控制：在消费电子（如电视遥控器、机顶盒、智能家电面板）中驱动多路状态指示LED，节省PCB面积与BOM成本； 3. I/O扩展与信号调理：在空间受限的便携设备（如TWS耳机充电仓、可穿戴设备）中实现GPIO扩展或按键扫描信号整形； 4. 电池供电设备中的省电开关：利用其低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.15V @ Ic=10mA）和典型hFE=160，提升能效，延长电池寿命； 5. 汽车电子辅助功能：适用于车规级非安全相关模块（如氛围灯控制、传感器状态指示），符合AEC-Q101可靠性标准（该型号为工业级，具体车规版本需确认料号后缀）。 注意：该器件不适用于大电流（Ic max = 100mA）、高频放大或线性模拟应用。设计时需关注其最大额定值（如VCEO=50V，Pd=300mW）及热管理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143TDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA143TDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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