图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBA123JDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA123JDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA123JDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA123JDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA123JDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA123JDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA123JDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个NPN晶体管，每路均内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=2.2kΩ，R₂=47kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等，简化电路设计，提升响应速度与可靠性。 2. LED驱动电路：常用于多路LED指示灯或背光控制，预偏置结构确保稳定开关特性，避免因MCU输出电流不足导致的亮度不均。 3. 信号切换与多路开关控制：在便携式设备（如智能手机、可穿戴设备）中用于低功耗信号路由、传感器使能控制等。 4. 工业与消费类电子中的简单放大/开关应用：如传感器信号调理前端、按钮去抖、电源使能控制等对成本与面积敏感的场景。 该器件具有低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE ≥ 160）、ESD防护（HBM > 8kV）及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键模块（如车身控制、信息娱乐系统辅助功能）。其小型化封装与集成电阻显著节省PCB面积与BOM成本，适合高密度、低功耗、快速开发的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA123JDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA123JDXV6TOSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSBA123JDXV6T1 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商