Datasheet下载- 型号： NSB13211DW6T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSB13211DW6T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSB13211DW6T1G价格参考。ON SemiconductorNSB13211DW6T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSB13211DW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSB13211DW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSB13211DW6T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置双通道阵列，采用SOT-363（SC-70）封装，内含两个NPN型晶体管，各集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为R1=10kΩ，R2=10kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电阻。 其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，简化电路设计，提升可靠性； 2. LED驱动：适用于中低电流（<100mA）LED指示灯或段式数码管的恒流/开关驱动，预偏置结构确保快速开关与稳定导通； 3. 信号切换与缓冲：在消费电子、家电控制板中作为信号开关或反相器使用，降低PCB面积与BOM成本； 4. 传感器接口电路：配合光电开关、霍尔传感器等数字输出器件，提供电平整形与驱动增强功能； 5. 电源管理辅助电路：如使能控制（EN引脚驱动）、状态指示、复位信号调理等低功耗、高集成度场景。 该器件具备低饱和压降（VCE(sat)典型值0.15V @ IC=10mA）、高直流电流增益（hFE=160–460）、优良的温度稳定性及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块）。其小尺寸、免调校偏置特性显著缩短开发周期，适合空间受限、成本敏感的便携设备与工业控制终端。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SC88 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSB13211DW6T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA / 250mV @ 1mA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V / 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k，10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k，10k |
| 频率-跃迁 | - |
推荐商品
(SN)(N).jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NSB13211DW6T1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商