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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSB12ANT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSB12ANT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSB12ANT3G价格参考。ON SemiconductorNSB12ANT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSB12ANT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSB12ANT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 SMB TVS 600W 12V |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor NSB12ANT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSB12ANT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 击穿电压 | 13.2 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 封装/箱体 | SMB |
| 尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 12 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 30.2A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | NSB12ANT3G |
| 钳位电压 | 19.9 V |
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