Datasheet下载- 型号： NRVBD660CTG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NRVBD660CTG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NRVBD660CTG价格参考。ON SemiconductorNRVBD660CTG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NRVBD660CTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NRVBD660CTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NRVBD660CTG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双共阴极肖特基势垒整流器阵列，采用TO-220AB封装，额定电压60 V、平均整流电流6 A（每单元3 A），低正向压降（典型值0.58 V @ 3 A），具备快速开关、高效率和反向恢复时间近乎为零的特性。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）次级整流：广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等，提升转换效率并降低温升； 2. DC-DC变换器：在同步或非同步降压/升压电路中作续流或输出整流，尤其适用于12 V/24 V输入系统； 3. 反向极性保护与OR-ing电路：利用其低VF特性，在冗余电源或电池备份系统中实现高效路径选择与防倒灌； 4. 工业控制与汽车电子：满足AEC-Q101认证（该型号为标准工业级，部分版本支持车规），可用于车载充电模块、车身控制单元（BCU）等对可靠性和热性能要求较高的场合； 5. 高频整流应用：如PWM电机驱动、逆变器辅助电源等，得益于其无反向恢复电荷，可减少开关损耗与EMI。 注意：该器件为不带散热片的TO-220封装，实际使用需配合合理PCB铜箔散热或外加散热器，以确保结温在安全范围内（Tj ≤ 150°C）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY RECTIFIER |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NRVBD660CTGSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NRVBD660CTG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 700mV @ 3A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 技术 | Silicon |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 75 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 3A |
| 系列 | MBRD660CT |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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