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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N06NLG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N06NLG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N06NLG-S18-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP82N06NLG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP82N06NLG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N06NLG-S18-AY 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,典型参数为:VDS = 60 V,ID(连续)= 82 A,RDS(on) ≈ 6.5 mΩ(VGS = 10 V),具备低导通损耗与良好热稳定性。 该器件适用于中高功率、中等电压的开关应用,典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换器:如服务器/通信设备中的同步降压(Buck)转换器的主开关或同步整流管; ✅ 电机驱动系统:用于工业变频器、电动工具、风机/泵类BLDC或有刷直流电机的H桥下臂开关; ✅ 电源管理系统:如电池供电设备(UPS、储能系统)中的充放电保护电路、负载开关及热插拔控制; ✅ 照明与LED驱动:大功率LED恒流驱动电路中的PWM调光开关; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(需确认具体批次认证),可用于车载风扇控制、座椅调节、车窗升降等12 V/24 V车载负载开关(非安全关键路径)。 其低RDS(on)和高电流能力有助于提升能效、减小散热设计难度,S18-AY后缀通常表示卷带包装与特定电气分级。实际选型需结合驱动电压(推荐10 V以上充分导通)、PCB散热设计及系统EMI要求综合评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 82A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP82N06NLG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8550pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.4 毫欧 @ 41A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 82A (Tc) |