图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NP82N04NDG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N04NDG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N04NDG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N04NDG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N04NDG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N04NDG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N04NDG-S18-AY 是一款由华润微电子（CRMicro）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有82A连续漏极电流、40V耐压、低导通电阻（典型Rds(on) ≈ 3.0mΩ @ Vgs=10V）等特点。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK电路，提升转换效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动模块，支持高频PWM控制与快速开关； - 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护开关或均衡回路开关，凭借低Rds(on)减小功耗与发热； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作为主开关器件； - 电子负载与电源开关：用于可编程电源、测试设备中的功率通断控制。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、100% UIS（非钳位感性开关）测试认证及RoHS合规性，适合对可靠性与能效要求较高的中高功率应用。需注意PCB布局时加强散热设计（如大面积敷铜），并确保栅极驱动电压稳定（推荐10–12V），以充分发挥其低导通损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 82A MP-25SK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP82N04NDG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NP82N04NDG-S18-AY 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商