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  • 型号: NP82N03PUG-E1-AY
  • 制造商: RENESAS ELECTRONICS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N03PUG-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N03PUG-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N03PUG-E1-AY封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NP82N03PUG-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NP82N03PUG-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 82A TO-263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Renesas Electronics America

数据手册

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产品图片

产品型号

NP82N03PUG-E1-AY

PCN组件/产地

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9080pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

160nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.8 毫欧 @ 41A,10V

供应商器件封装

TO-263 (D²Pak)

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

安装类型

*

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

82A (Tc)

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