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- 型号： NP80N04PDG-E1B-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP80N04PDG-E1B-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP80N04PDG-E1B-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP80N04PDG-E1B-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP80N04PDG-E1B-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP80N04PDG-E1B-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP80N04PDG-E1B-AY 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252（DPAK）封装，具有 40V 耐压、80A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on) 典型值约 3.6mΩ）及快速开关特性。其应用场景主要包括： 1. DC-DC 电源转换：广泛用于服务器/通信设备的同步整流降压（Buck）转换器中，作为主开关管或同步整流管，提升转换效率与功率密度； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，支持高频PWM控制与大电流输出； 3. 电池管理系统（BMS）：用作充放电保护回路中的主控MOSFET，实现过流、短路保护及电池均衡控制； 4. LED 驱动电源：在高亮度LED恒流驱动电路中承担调光开关或功率调节功能； 5. 工业电源与UPS模块：用于输入整流后级、PFC后级或逆变输出级，满足高可靠性与热稳定性要求。 该器件具备雪崩耐量（UIS）和强抗dv/dt能力，适合在存在电压尖峰或感性负载切换的严苛环境中稳定工作。需配合合理PCB布局、散热设计（如敷铜面积≥10 cm²）及栅极驱动（推荐12V驱动以确保充分导通）以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A MP-25K |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP80N04PDG-E1B-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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