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产品简介:
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NP60N055VUK-E1-AY 是瑞萨电子(Renesas Electronics America)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装封装(HSOP8),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅5.5 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID=60A)及优化的开关特性。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并减小散热需求; 2. 电机驱动:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制模块(如风扇、泵、电动工具驱动电路),支持高频PWM调速; 3. 负载开关与电源管理:在FPGA、ASIC或微控制器供电系统中作为高效热插拔/电源路径管理开关; 4. 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充放电主控开关,兼顾低损耗与快速响应; 5. LED驱动与照明电源:在高亮度LED恒流驱动器中作开关管,满足能效与EMI要求。 该器件具备AEC-Q101可靠性认证(注:需确认具体批次是否通过,但E1-AY后缀常用于车规兼容版本),亦可用于对可靠性要求较高的工业及车载辅助系统(如车身控制模块)。其HSOP8封装支持高功率密度设计,并具备良好的热传导性能,适合紧凑型PCB布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 60A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NP60N055VUK-E1-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 253µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |