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- 型号： NP40N055KLE-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP40N055KLE-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP40N055KLE-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP40N055KLE-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP40N055KLE-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP40N055KLE-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP40N055KLE-E1-AY 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用TO-220AB封装，具有40A连续漏极电流（ID）、55V耐压（VDS）、低导通电阻（RDS(on)典型值仅12.5mΩ @ VGS=10V）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换器：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK电路，提升转换效率并降低温升； - 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动模块，支持高频PWM调速； - 电子负载与电池管理系统（BMS）：用作充放电主控开关或保护回路中的过流/短路切断器件； - LED恒流驱动与照明电源：在高亮度LED驱动电路中实现高效调光与稳流控制； - 逆变器与UPS系统：作为低压侧开关元件，配合IGBT或另一MOSFET构成逆变桥。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、低栅极电荷（Qg≈60nC）和优化的体二极管反向恢复特性，适合中高频（≤100kHz）硬开关应用。需注意PCB布局散热设计（建议加装散热片）及栅极驱动电压稳定性（推荐VGS=10V以确保充分导通）。不适用于高压（＞55V）或超大电流（＞40A持续）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 40A TO-263 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP40N055KLE-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
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