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- 型号： NP32N055SHE-E1-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP32N055SHE-E1-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP32N055SHE-E1-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP32N055SHE-E1-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP32N055SHE-E1-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP32N055SHE-E1-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP32N055SHE-E1-AY 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用小型表面贴装封装（如HSOP8），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约5.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达32A）及优化的开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并减小热损耗； - 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制模块（如风扇、泵、自动化执行器）中的H桥或半桥功率级； - 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关，支持快速响应与低功耗待机； - 负载开关与电源多路复用：在便携式设备、工控主板中实现高效、低噪声的电源通断控制； - LED照明驱动：用于高效率恒流驱动电路中的PWM调光开关管。 该器件具备AEC-Q101可靠性认证（注：需确认具体批次是否通过车规认证，但E1-AY后缀常用于工业/汽车兼容版本），因此亦可拓展至车载辅助系统（如车身控制、ADAS供电模块）等对可靠性要求较高的场景。其小型化封装与优异热性能，特别适合空间受限且需高功率密度的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 32A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP32N055SHE-E1-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252（MP-3ZK） |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
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