Datasheet下载- 型号： NP1100SBT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP1100SBT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP1100SBT3G价格参考。ON SemiconductorNP1100SBT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP1100SBT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP1100SBT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP1100SBT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单向硅雪崩二极管（SAD），属于TVS晶闸管（Thyristor-Based TVS，即TSPD）类别，非传统PN结TVS，而是基于晶闸管结构的过压保护器件。其典型击穿电压约110V，维持电流低，触发电流小，响应快（纳秒级），且具备高浪涌电流承受能力（如8/20μs波形下可达50A）。 主要应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-485、RS-232、CAN总线等工业现场总线端口，防止雷击感应浪涌或开关噪声引起的瞬态过压； - 电源输入端防护：在低压直流供电系统（如12V/24V工业电源）中，作为二级或主级过压钳位器件，配合MOV或GDT使用，提升系统ESD与EFT抗扰度； - 电机驱动与继电器控制电路：抑制感性负载关断时产生的反向电动势尖峰（如直流电机、电磁阀）； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级），适用于车载信息娱乐、车身控制模块等对可靠性要求高的12V系统浪涌防护。 其晶闸管特性（导通后维持低钳位电压、自锁直至电流低于维持值）相比普通TVS二极管，在大能量脉冲下具有更低的钳位电压和更优的功率耗散表现，特别适合需长期耐受重复浪涌的严苛环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP1100SBT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 130V |
| 电压-断态 | 90V |
| 电压-通态 | 4V |
| 电容 | 95pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 80A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | - |
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