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- 型号： NP1100SAT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP1100SAT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP1100SAT3G价格参考。ON SemiconductorNP1100SAT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP1100SAT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP1100SAT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP1100SAT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款单向硅雪崩击穿型TVS晶闸管（Thyristor-Based TVS），专为高可靠性瞬态过压保护设计。其典型应用场景包括： - 通信接口保护：如RS-485、RS-232、CAN总线等工业通信端口，可承受IEC 61000-4-2接触放电±15 kV、空气放电±25 kV，有效抑制ESD冲击； - 电源输入端防护：用于低压直流供电系统（如12 V或24 V工业电源入口），防止雷击感应浪涌（IEC 61000-4-5，共模4 kV/差模2 kV）及开关噪声引起的过压； - 汽车电子系统：符合AEC-Q101标准，适用于车载信息娱乐（IVI）、车身控制模块（BCM）中对LIN总线、传感器供电线路的浪涌与反向电压保护； - 消费类与工业设备：如智能电表、PLC I/O模块、安防摄像头供电接口等，提供低钳位电压（典型VDRM=110 V）、快速响应（纳秒级导通）和高浪涌电流能力（IPP=50 A，8/20 μs）。 该器件采用SOT-23封装，体积小、寄生电容低（<30 pF），不影响信号完整性，适合高速/高密度PCB布局。其晶闸管结构相比传统TVS二极管具有更优的功率处理能力和长期稳定性，特别适用于需反复承受严酷瞬态应力的恶劣环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | IC THY SURGE PROTECTOR 110V SMB |
| 产品分类 | TVS - 晶闸管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP1100SAT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 元件数 | 1 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-导通 | 130V |
| 电压-断态 | 90V |
| 电压-通态 | 4V |
| 电容 | 58pF |
| 电流-保持(Ih) | 150mA |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50A |
| 电流-峰值脉冲(8/20µs) | - |
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