Datasheet下载- 型号： NLV14012BDR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NLV14012BDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NLV14012BDR2G价格参考。ON SemiconductorNLV14012BDR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NLV14012BDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NLV14012BDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NLV14012BDR2G是一款低电压、低功耗的六反相器，属于逻辑 - 栅极和逆变器类别。该器件采用CMOS技术制造，工作电压范围为1.65V至5.5V，支持宽电压操作，适用于多种电源环境。 NLV14012BDR2G广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）终端。其低功耗特性有助于延长电池寿命。此外，该芯片常用于电平转换电路中，实现不同电压逻辑系统之间的信号兼容，例如将3.3V系统与1.8V或5V系统进行接口连接。 在工业控制、消费类电子产品和通信模块中，NLV14012BDR2G可用于信号整形、噪声抑制和数字信号反相处理。其高噪声抗扰能力和稳定的输出性能，使其适用于电磁干扰较强的环境。 该器件采用14引脚SOIC封装（窄体），便于在空间受限的PCB上布局，适合高密度组装。同时，产品符合RoHS标准，无铅环保，适用于对环保要求较高的应用场景。 总之，NLV14012BDR2G凭借其宽电压范围、低功耗、高可靠性及良好的兼容性，广泛用于需要高效逻辑信号处理的现代电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC GATE NAND 2CH 4-INP 14-SOIC |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NLV14012BDR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 4000B |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 100ns @ 15V，50pF |
| 供应商器件封装 | 14-SOIC |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 特性 | - |
| 电压-电源 | 3 V ~ 18 V |
| 电流-输出高，低 | 8.8mA，8.8mA |
| 电流-静态（最大值） | 1µA |
| 电路数 | 2 |
| 输入数 | 4 |
| 逻辑电平-低 | 1.5 V ~ 4 V |
| 逻辑电平-高 | 3.5 V ~ 11 V |
| 逻辑类型 | 与非门 |
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