Datasheet下载- 型号： NJVMJD42CT4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD42CT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD42CT4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD42CT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD42CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD42CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJVMJD42CT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-223封装，具有高电流能力（IC=3A）、高电压（VCEO=60V）、低饱和压降（VCE(sat)典型值仅0.35V @ IC=2A）及良好热稳定性。其典型应用场景包括： 1. 中功率开关应用：广泛用于DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制（如小功率直流风扇/泵的PWM开关）、继电器驱动等需可靠通断大电流（≤3A）的场合； 2. 线性稳压与LDO后级调整管：凭借低VCE(sat)和良好SOA（安全工作区），适用于低压差、中电流线性稳压电路中的调整元件； 3. 工业控制接口电路：作为PLC输出级、传感器信号放大/电平转换或隔离驱动（配合光耦）的开关器件； 4. 消费电子电源管理：如打印机、机顶盒、智能家电中的板载电源次级侧开关或负载切换； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）中非安全关键的负载开关（如灯光、车窗控制）。 该器件强调高效率、紧凑封装与成本效益，适用于对体积、散热及性价比有要求的中等功率模拟/开关设计，不适用于高频射频或极高精度线性放大场景。实际应用中建议参考官方Datasheet进行PCB热设计与驱动电路匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP PNP 6A 100V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD42CT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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