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  • 型号: NJVMJD31CT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD31CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD31CT4G价格参考¥1.37-¥1.40。ON SemiconductorNJVMJD31CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD31CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD31CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NJVMJD31CT4G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于MJD系列的大电流达林顿晶体管,常用于高增益、高电流开关应用。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和可靠性,适用于需要驱动较大负载的场景。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理电路:作为开关元件用于线性稳压器或DC-DC转换器中的通流控制。  
2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中,作为功率开关驱动负载。  
3. 继电器或电磁阀驱动:利用其高电流放大能力,直接驱动感性负载,广泛应用于工业控制与汽车电子系统。  
4. LED照明驱动:用于大功率LED的开关控制,特别是在需要恒流驱动的场合。  
5. 消费类电子产品:如家电控制板、电源适配器等,实现负载的通断控制。  

该型号为符合AEC-Q101车规认证的汽车级器件,因此特别适用于汽车应用,如车灯控制、风扇电机驱动、车载电源模块等,具备良好的温度稳定性和长期可靠性。同时,其“G”后缀表示符合RoHS环保要求,适合绿色电子产品设计。

综上,NJVMJD31CT4G是一款高可靠性、高增益的达林顿晶体管,广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类电源系统中的中高电流开关场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 100V TR

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVMJD31CT4G-

数据手册

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产品型号

NJVMJD31CT4G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.2V @ 375mA,3A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

25 @ 1A,4V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NJVMJD31CT4GOSDKR

功率-最大值

1.56W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

15 W

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

3A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

10

系列

MJD31C

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极连续电流

3 A

频率-跃迁

3MHz

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