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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD31CT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD31CT4G价格参考¥1.37-¥1.40。ON SemiconductorNJVMJD31CT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVMJD31CT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVMJD31CT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NJVMJD31CT4G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于MJD系列的大电流达林顿晶体管,常用于高增益、高电流开关应用。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和可靠性,适用于需要驱动较大负载的场景。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:作为开关元件用于线性稳压器或DC-DC转换器中的通流控制。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制电路中,作为功率开关驱动负载。 3. 继电器或电磁阀驱动:利用其高电流放大能力,直接驱动感性负载,广泛应用于工业控制与汽车电子系统。 4. LED照明驱动:用于大功率LED的开关控制,特别是在需要恒流驱动的场合。 5. 消费类电子产品:如家电控制板、电源适配器等,实现负载的通断控制。 该型号为符合AEC-Q101车规认证的汽车级器件,因此特别适用于汽车应用,如车灯控制、风扇电机驱动、车载电源模块等,具备良好的温度稳定性和长期可靠性。同时,其“G”后缀表示符合RoHS环保要求,适合绿色电子产品设计。 综上,NJVMJD31CT4G是一款高可靠性、高增益的达林顿晶体管,广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类电源系统中的中高电流开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4两极晶体管 - BJT BIP NPN 3A 100V TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVMJD31CT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVMJD31CT4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 25 @ 1A,4V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NJVMJD31CT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | MJD31C |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 3 A |
| 频率-跃迁 | 3MHz |