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- 型号： NJL21193DG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJL21193DG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJL21193DG价格参考。ON SemiconductorNJL21193DG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJL21193DG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJL21193DG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJL21193DG（ONS品牌）是一款高性能NPN型双极结型晶体管（BJT），采用TO-247封装，具有高电压（VCBO=1500V）、大电流（IC=15A）、高功率（PC=250W）及快速开关特性（tf≈150ns）。其典型应用场景集中在高压、大功率、高频开关领域： 1. 工业变频器与逆变电源：用于DC-AC主开关电路，驱动电机或UPS系统，承受高母线电压并实现高效能量转换； 2. 感应加热设备：在谐振逆变桥（如串联谐振拓扑）中作为主功率开关，配合IGBT或MOSFET协同工作，满足高频（数十kHz）、高di/dt要求； 3. 激光驱动与脉冲电源：适用于需要陡峭上升沿和稳定大电流输出的场合，如CO₂激光器激励电路、电容放电式脉冲发生器； 4. 高可靠性电源模块：在通信基站、医疗设备等对长期稳定性与热冗余要求严苛的电源中，作为PFC后级升压或DC-DC主开关。 需注意：该器件需搭配优化的驱动电路（如负压关断、栅极电阻匹配）及强制风冷/水冷散热设计，避免二次击穿；实际应用中常与快恢复二极管或RCD缓冲网络配合使用以抑制电压尖峰。不推荐用于线性放大或低频小信号场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS THERMALTRK PNP 200W TO-264 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJL21193DG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 3.2A，16A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 8A，5V |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-5 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 250V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 16A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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