Datasheet下载- 型号： NGB8204ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8204ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8204ANT4G价格参考。ON SemiconductorNGB8204ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8204ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8204ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8204ANT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用DPAK（TO-252）封装，内置续流二极管，额定电压600V，连续集电极电流15A（Tc=25°C），适用于中功率开关应用。 其典型应用场景包括： ✅ 工业电机驱动：如变频器、伺服驱动器和泵/风机控制，利用其低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8V）与快速开关特性（t_f ≈ 120ns），提升能效与响应速度； ✅ 感应加热设备：在电磁炉、商用加热系统中作为主开关器件，耐受高频硬开关应力； ✅ 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：用于DC-AC转换级，支持600V母线电压，具备良好的短路耐受能力（10μs）及温度稳定性； ✅ 家电变频控制：空调压缩机、冰箱变频模块等，得益于DPAK封装的小体积与良好散热性，适合紧凑型设计； ✅ 焊接电源与电焊机：满足高脉冲电流与热循环可靠性要求。 该器件集成优化的栅极结构与软恢复二极管，可降低EMI、减少外部缓冲电路需求，简化PCB布局。需配合合适驱动（推荐±15V栅极电压）与散热设计（建议使用覆铜面积≥250mm²）以发挥最佳性能。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | - |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 430V 18A 115W D2PAK3 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8204ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | - |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 4V， 15A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NGB8204ANT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 430V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 18A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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