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- 型号： NGB8202NT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8202NT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8202NT4价格参考。ON SemiconductorNGB8202NT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8202NT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8202NT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8202NT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-247-3封装，具备低导通压降（VCE(sat) ≈ 1.8 V @ IC = 20 A）、快速开关特性及良好的短路耐受能力，额定参数为800 V / 40 A（连续），适用于中高功率场景。 其典型应用场景包括： • 工业变频驱动：用于3–7.5 kW级通用变频器，驱动三相异步电机，实现高效调速与节能； • 感应加热设备：在电磁炉、商用加热系统中作为主开关器件，配合谐振电路实现高频（20–50 kHz）功率转换； • 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：在单相/小三相并网逆变器中承担DC-AC转换功能，兼顾效率与可靠性； • 电焊机电源模块：在逆变式弧焊电源中实现高频斩波与电流精确控制，提升动态响应与能效； • 电动工具与轻型电动车控制器：适配48–96 V电池系统，用于BLDC或有刷电机的H桥驱动（需搭配续流二极管及驱动保护电路）。 该器件内置优化的场截止结构和软恢复反并联二极管（集成于模块内），有助于降低EMI、减少吸收电路复杂度。设计时需注意门极驱动电压（推荐+15 V / –5 V）、散热管理（建议使用≥30 K/W散热器）及短路保护响应时间（<10 μs）。 综上，NGB8202NT4 主要面向对效率、鲁棒性与成本平衡要求较高的中功率电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 440V 20A 150W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NGB8202NT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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