Datasheet下载- 型号： NESG2046M33-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NESG2046M33-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NESG2046M33-A价格参考。CELNESG2046M33-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NESG2046M33-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NESG2046M33-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NESG2046M33-A的CEL品牌射频双极晶体管（BJT），主要应用于射频（RF）放大电路中，特别是在无线通信系统中发挥关键作用。该器件适用于工作频率较高的场景，具备良好的增益和线性性能，适合用于射频功率放大器、低噪声放大器以及射频信号处理模块。 该晶体管常见于蜂窝通信设备，如基站和移动终端，也可用于无线局域网（WLAN）、微波通信和广播设备中。其高频率响应和稳定性能使其在需要高效、高线性度的射频电路设计中具有优势。此外，NESG2046M33-A还可用于测试仪器和工业控制系统中的射频模块，以实现可靠的信号传输与处理。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 2GHZ M33射频双极晶体管 NPN Silicn Germanium Amp/Oscilltr |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | CEL |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,CEL NESG2046M33-A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NESG2046M33-A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 140 @ 2mA，1V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 3 针 SuperMiniMold （M33） |
| 功率-最大值 | 130mW |
| 功率耗散 | 130 mW |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
| 商标 | CEL |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| 增益 | 9.5dB ~ 11.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | M33 |
| 技术 | SiGe |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作频率 | 2 GHz |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 类型 | RF Silicon Germanium |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
| 集电极连续电流 | 40 mA |
| 频率 | 2 GHz |
| 频率-跃迁 | 18GHz |
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