Datasheet下载- 型号： NE4210S01
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE4210S01由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE4210S01价格参考。CELNE4210S01封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE4210S01参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE4210S01 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE4210S01是CEL公司推出的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能砷化镓（GaAs）增强型pHEMT工艺器件，主要用于射频功率放大应用。该器件具有高增益、低噪声和优异的线性度，适用于高频、低功耗的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于蜂窝网络中的微波回传、小基站（Small Cell）和分布式天线系统（DAS）中的射频功率放大。 2. 毫米波通信系统：支持28GHz、39GHz等5G毫米波频段，适用于5G基站和终端设备的射频前端模块。 3. 卫星通信：在低地球轨道（LEO）卫星通信终端中作为上行/下行链路的功率放大器，提供稳定高效的射频输出。 4. 点对点无线传输：应用于60GHz以下的高速点对点微波通信系统，如E-band通信设备。 5. 雷达与传感系统：适用于汽车雷达、工业雷达及高精度探测设备中的射频信号放大环节。 NE4210S01采用小型化表面贴装封装，便于集成于高密度PCB设计中，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下长期运行。其低工作电压特性也使其适用于电池供电或节能型射频模块。 综上，NE4210S01广泛应用于5G通信、卫星链路、微波传输和高频雷达等先进射频系统，是现代高频电子设备中关键的射频放大元件。
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