Datasheet下载- 型号： NE3517S03-T1C-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3517S03-T1C-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3517S03-T1C-A价格参考。CELNE3517S03-T1C-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3517S03-T1C-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3517S03-T1C-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3517S03-T1C-A 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的高性能GaAs pHEMT射频MOSFET，专为微波/射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为0.1–6 GHz，具备高增益（>15 dB）、高功率附加效率（PAE >40%）及优良线性度，适用于小信号至中功率射频放大场景。 主要应用场景包括： - 无线通信基础设施：如4G LTE与5G Sub-6 GHz基站的驱动级（Driver Stage）和末级功放（PA）模块； - 微波通信系统：点对点回传链路、小型蜂窝（Small Cell）及毫米波前端的中频/射频放大器； - 测试与测量设备：矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器中的宽带低噪声/高增益放大通道； - 雷达与传感系统：汽车雷达（24 GHz/77 GHz前级LNA或IF放大）、工业雷达及IoT传感器收发模块； - 卫星通信终端：Ku波段以下的便携式VSAT及相控阵T/R组件中的功率放大单元。 该器件采用SOT-343（SC-70）超小型封装，支持表面贴装，具备良好热稳定性与ESD防护能力，适合高密度PCB布局。配合瑞萨推荐的匹配电路与偏置方案，可实现优异的带宽平坦度与OIP3性能，广泛用于对尺寸、功耗与射频性能均有严苛要求的商用与工业级射频前端设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NE3517S03-T1C-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | S03 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.7dB |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 20GHz |
| 额定电流 | 15mA |
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