Datasheet下载- 型号： NE3517S03-T1C-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3517S03-T1C-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3517S03-T1C-A价格参考。CELNE3517S03-T1C-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE3517S03-T1C-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE3517S03-T1C-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE3517S03-T1C-A的CEL品牌射频MOSFET器件，属于高性能砷化镓（GaAs）场效应晶体管，主要用于射频（RF）放大电路。其典型应用场景包括无线通信基础设施中的低噪声放大器（LNA）、中频或射频信号放大模块，适用于频率范围在数百MHz至数GHz的高频系统。 该器件具有低噪声系数、高增益和良好的线性度，因此广泛应用于需要高灵敏度和稳定性能的场合，如蜂窝通信基站（GSM、CDMA、LTE等）、微波通信系统、卫星通信接收前端以及点对点无线传输设备。此外，也常见于测试测量仪器、雷达系统及工业射频设备中作为关键放大元件。 NE3517S03-T1C-A采用小型化表面贴装封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，可在较宽温度范围内稳定工作，满足工业级应用需求。由于其优异的射频特性，特别适合对信号完整性要求较高的高频模拟前端设计。总之，该器件是现代高性能射频接收系统中理想的低噪声放大解决方案之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NE3517S03-T1C-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | S03 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.7dB |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | HFET |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 20GHz |
| 额定电流 | 15mA |
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