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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDB603AL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDB603AL价格参考。Fairchild SemiconductorNDB603AL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDB603AL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDB603AL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDB603AL 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高压、高效率的N沟道功率MOSFET,采用TO-220AB封装,典型漏源击穿电压V(BR)DSS为600 V,连续漏极电流ID达12 A(Tc=25°C),具备低导通电阻RDS(on)(典型值0.45 Ω @ VGS=10 V)和优化的体二极管特性。 其主要应用场景包括: ✅ 离线式开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源及工业电源的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关; ✅ 电机控制:适用于中小功率(如<500W)无刷直流(BLDC)电机驱动、风扇/泵类家电控制器中的逆变桥上管; ✅ 照明系统:在高压LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关或初级侧开关; ✅ UPS与逆变器:用于后备式UPS的DC-AC逆变级或太阳能微逆变器的输入侧开关; ✅ 电磁加热设备:如感应灶具的谐振功率开关(需配合ZVS设计以降低开关损耗)。 该器件具备良好的雪崩耐受能力(UIS额定)、快速开关特性(典型tr/tf < 50 ns)及增强型体二极管反向恢复性能,适合硬开关及部分软开关拓扑。设计时建议搭配合适的栅极驱动(如NCV840x系列)与散热管理,以充分发挥其高效率与可靠性优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NDB603AL |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | NDB603ALCT |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |