Datasheet下载- 型号： NCP584HSN09T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP584HSN09T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP584HSN09T1G价格参考。ON SemiconductorNCP584HSN09T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCP584HSN09T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCP584HSN09T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP584HSN09T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高精度、低噪声线性稳压器控制器（LDO Controller），专为驱动外部N沟道MOSFET而设计，输出电压固定为0.9V（典型值），支持高达3A负载电流（取决于外置MOSFET）。其核心应用场景包括： - 高性能数字电源系统：常用于为FPGA、ASIC、DSP、ARM处理器等低压核心（Core Voltage）供电，满足其对电压精度（±1%）、低纹波（<20μVRMS）及快速瞬态响应（<10μs恢复）的严苛要求； - 服务器与通信设备：在5G基站、网络交换机和高端服务器中，作为CPU/GPU核心供电的后级稳压方案，配合DrMOS或分立MOSFET实现高效、低热损的多相/单相降压+LDO精调架构； - 工业与汽车电子：适用于需ASIL-B功能安全等级的车载信息娱乐（IVI）或ADAS域控制器，凭借内置过流、过温保护及宽输入电压范围（2.7V–5.5V），保障系统可靠性； - 便携式高端设备：如测试仪器、医疗成像模块等，利用其超低噪声与高PSRR（70dB@1kHz），为ADC、PLL、RF收发器等敏感模拟电路提供“洁净”电源。 该器件不集成功率管，通过外部MOSFET实现灵活散热与效率优化，特别适合空间受限但对电源性能要求极高的嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC REG LDO 0.9V 0.2A SOT23-5 |
| 产品分类 | PMIC - 稳压器 - 线性 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NCP584HSN09T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-5 |
| 其它名称 | NCP584HSN09T1GOSTR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-跌落（典型值） | 0.4V @ 200mA |
| 电压-输入 | 1.4 V ~ 6 V |
| 电压-输出 | 0.9V |
| 电流-输出 | 200mA |
| 电流-限制（最小值） | - |
| 稳压器拓扑 | 正，固定式 |
| 稳压器数 | 1 |
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