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  • 型号: NCP5181DR2G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5181DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5181DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5181DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NCP5181DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5181DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NCP5181DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能双通道栅极驱动器,属于PMIC - 栅极驱动器类别。该器件广泛应用于需要高效、可靠控制功率MOSFET或IGBT的电源系统中。

其主要应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):适用于服务器电源、通信电源和工业电源等高效率电源拓扑,如半桥、全桥和LLC谐振转换器。  
2. DC-DC转换器:在多相电压调节模块(VRM)和大电流降压变换器中,用于驱动同步整流MOSFET,提高转换效率。  
3. 电机驱动:可用于工业电机控制和电动汽车辅助系统中的低边或高边驱动电路。  
4. 太阳能逆变器:在光伏逆变系统中,驱动功率开关管实现直流转交流的高效转换。  
5. UPS(不间断电源)与电力储能系统:支持高频开关操作,提升系统动态响应和能量利用率。

NCP5181DR2G采用SOIC-8封装,具备高低侧独立驱动输出、高驱动电流能力(典型±4A峰值)、高工作频率支持及集成死区时间控制功能,有效防止上下桥臂直通。同时,该器件具有宽输入电压范围、良好的噪声抑制能力和欠压锁定(UVLO)保护,适用于严苛工业环境。其铅/无铅兼容的绿色封装也符合环保要求。

综上,NCP5181DR2G是一款适用于中高功率数字电源系统的可靠栅极驱动解决方案,特别适合追求高效率、高集成度和高稳定性的现代电力电子应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC门驱动器 HV MOSFET DRIVER

产品分类

PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor NCP5181DR2G-

数据手册

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产品型号

NCP5181DR2G

上升时间

60 ns

下降时间

40 ns

产品种类

Drivers- MOSFET/IGBT

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

NCP5181DR2GOSCT

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

-40°C ~ 125°C

工厂包装数量

2500

延迟时间

100ns

最大功率耗散

178 mW

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

激励器数量

2

电压-电源

10 V ~ 20 V

电流-峰值

1.4A

电源电压-最小

10 V

电源电流

6.5 mA

类型

High Side/Low Side

系列

NCP5181

输入类型

非反相

输出数

2

输出端数量

2

配置

Non-Inverting

配置数

1

高压侧电压-最大值(自举)

600V

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