| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5181DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5181DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5181DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NCP5181DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NCP5181DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP5181DR2G是安森美(ON Semiconductor)推出的一款高性能双通道栅极驱动器,属于PMIC - 栅极驱动器类别。该器件广泛应用于需要高效、可靠控制功率MOSFET或IGBT的电源系统中。 其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):适用于服务器电源、通信电源和工业电源等高效率电源拓扑,如半桥、全桥和LLC谐振转换器。 2. DC-DC转换器:在多相电压调节模块(VRM)和大电流降压变换器中,用于驱动同步整流MOSFET,提高转换效率。 3. 电机驱动:可用于工业电机控制和电动汽车辅助系统中的低边或高边驱动电路。 4. 太阳能逆变器:在光伏逆变系统中,驱动功率开关管实现直流转交流的高效转换。 5. UPS(不间断电源)与电力储能系统:支持高频开关操作,提升系统动态响应和能量利用率。 NCP5181DR2G采用SOIC-8封装,具备高低侧独立驱动输出、高驱动电流能力(典型±4A峰值)、高工作频率支持及集成死区时间控制功能,有效防止上下桥臂直通。同时,该器件具有宽输入电压范围、良好的噪声抑制能力和欠压锁定(UVLO)保护,适用于严苛工业环境。其铅/无铅兼容的绿色封装也符合环保要求。 综上,NCP5181DR2G是一款适用于中高功率数字电源系统的可靠栅极驱动解决方案,特别适合追求高效率、高集成度和高稳定性的现代电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRVR HIGH VOLT 8-SOIC门驱动器 HV MOSFET DRIVER |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor NCP5181DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NCP5181DR2G |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 产品种类 | Drivers- MOSFET/IGBT |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCP5181DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 100ns |
| 最大功率耗散 | 178 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 激励器数量 | 2 |
| 电压-电源 | 10 V ~ 20 V |
| 电流-峰值 | 1.4A |
| 电源电压-最小 | 10 V |
| 电源电流 | 6.5 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 系列 | NCP5181 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出端数量 | 2 |
| 配置 | Non-Inverting |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | 600V |