ICGOO在线商城 > NCP51510MNTWG
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NCP51510MNTWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NCP51510MNTWG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP51510MNTWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供NCP51510MNTWG价格参考以及ON SemiconductorNCP51510MNTWG封装/规格参数等产品信息。 你可以下载NCP51510MNTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有NCP51510MNTWG详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP51510MNTWG 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能、高集成度半桥驱动器（属于PMIC中“特殊用途稳压器/驱动器”类别），主要用于驱动氮化镓（GaN）和硅基（Si）高侧/低侧功率MOSFET或GaN HEMT器件。其典型应用场景包括：高频高效DC-DC转换器（如LLC谐振变换器、有源钳位正激拓扑）、服务器/通信电源的48V–12V/5V POL（负载点）模块、AI加速卡与GPU供电系统、USB PD 3.1 EPR快充适配器，以及工业和汽车级车载OBC（车载充电机）中的GaN驱动环节。该芯片集成了自举二极管、死区时间控制、UVLO保护、欠压锁定、击穿防护及独立高低侧输出，支持高达5V–20V宽范围VDD供电与高达10MHz开关频率，显著提升系统效率与功率密度。需注意：它并非传统线性或DC-DC稳压器，而是专为高速、高dv/dt环境优化的栅极驱动IC，常与外部GaN FET配合构成高效电源主回路。应用时须严格遵循PCB布局规范（如低感回路、独立地平面）以抑制噪声与振荡。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC REG LDO专业电源管理 DDR/VTT Termination Reg |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,专业电源管理,ON Semiconductor NCP51510MNTWG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NCP51510MNTWG |
| 产品种类 | 专业电源管理 |
| 供应商器件封装 | 10-DFN（3x3） |
| 其它名称 | NCP51510MNTWGOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 10-VFDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN-10 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 转换器，DDR |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-输入 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 电压-输出 | 0.5 V ~ 1.5 V |
| 电源电压 | 2.7 V to 3.6 V |
| 电源电流 | 0.7 mA |
| 类型 | Double Data Rate Memory Termination |
| 输入电压范围 | 2.7 V to 3.6 V |
| 输出数 | 1 |
| 输出电流 | 3 A |
