Datasheet下载- 型号： NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NAND01GW3B2BZA6E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NAND01GW3B2BZA6E价格参考。Micron Technology IncNAND01GW3B2BZA6E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NAND01GW3B2BZA6E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NAND01GW3B2BZA6E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NAND01GW3B2BZA6E的存储器产品，属于美光科技（Micron Technology Inc.）生产的NAND闪存芯片，其主要应用场景包括： 1. 嵌入式系统：该型号常用于工业控制、自动化设备、智能仪表等嵌入式系统中，作为程序存储或数据存储介质，具备高稳定性和耐用性。 2. 消费类电子产品：适用于智能手机、平板电脑、数字相机等便携设备，用于存储操作系统、应用程序和用户数据。 3. 固态硬盘（SSD）：可用于低端或工业级SSD的制造，适用于对成本敏感但对性能有一定要求的存储方案。 4. 车载系统：如车载导航、行车记录仪、车载娱乐系统等，满足汽车电子对存储器件在温度、震动等方面的要求。 5. 物联网（IoT）设备：用于智能家电、远程监控、传感器节点等物联网终端设备中，实现数据的本地存储与传输。 该芯片为原始颗粒，通常需配合主控芯片使用，适用于需要定制化存储方案的设计场景。由于其封装形式和接口标准，适合SMT贴片工艺，广泛应用于各类电子制造领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 1GBIT 63VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NAND01GW3B2BZA6E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA（9x11） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1G（128M x 8） |
| 封装/外壳 | 63-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 210 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | - |
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