Datasheet下载- 型号： MXSMBJ5.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXSMBJ5.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXSMBJ5.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMXSMBJ5.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXSMBJ5.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXSMBJ5.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MXSMBJ5.0AE3 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 的一部分）生产的一款 TVS（瞬态电压抑制器）二极管。该型号属于 MXSM 系列，主要应用于电路保护场景，用于防止因静电放电 (ESD)、雷击感应、负载突降或其他瞬态过压事件导致的损坏。 应用场景： 1. 消费电子设备 - 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的接口保护，如 USB、HDMI、音频接口等。 - 防止因插拔操作或外部环境引起的瞬态电压对敏感元件造成损害。 2. 通信设备 - 在路由器、交换机、调制解调器等网络设备中，用于保护数据线和信号线。 - 特别适合 RS-232、RS-485、以太网等通信接口的过压保护。 3. 汽车电子系统 - 用于车载信息娱乐系统、导航系统、CAN 总线等关键电路的保护。 - 抵御汽车环境中常见的负载突降和感应浪涌。 4. 工业控制设备 - 在 PLC、传感器、工业自动化设备中，保护输入/输出端口免受瞬态电压影响。 - 提高设备在恶劣电磁环境下的可靠性和稳定性。 5. 电源管理模块 - 保护 AC/DC 或 DC/DC 转换器免受过压事件的影响。 - 适用于适配器、充电器等电源相关应用。 特性与优势： - 低电容设计：确保信号完整性，特别适合高速数据接口。 - 高浪涌能力：能够承受多次瞬态浪涌冲击，延长产品寿命。 - 快速响应时间：有效抑制瞬态电压，保护后级电路。 - 小型化封装：节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。 综上所述，MXSMBJ5.0AE3 广泛应用于需要高可靠性、高性能电路保护的领域，能够在各种复杂环境下提供卓越的防护性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXSMBJ5.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-14116 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 65.2A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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