Datasheet下载- 型号： MXLSMCJ12AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MXLSMCJ12AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MXLSMCJ12AE3价格参考。MICRO-SEMIMXLSMCJ12AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MXLSMCJ12AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MXLSMCJ12AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MXLSMCJ12AE3 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的 TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于保护型半导体器件。其主要应用场景如下： 1. 电源线保护 - 用于保护电子设备的电源输入端口免受过电压或浪涌电流的影响。例如，在工业设备、消费电子或汽车电子中，防止雷击感应浪涌或开关瞬态对电源电路的损害。 2. 数据通信接口保护 - 在 USB、RS-232、RS-485、以太网等通信接口中，提供静电放电（ESD）保护和瞬态浪涌抑制功能，确保信号完整性并延长设备寿命。 3. 汽车电子系统 - 应用于汽车电子控制单元（ECU）、车载充电器、传感器接口等场景，抵御负载突降（Load Dump）、感应浪涌和其他电气干扰。 4. 消费电子产品 - 在手机、平板电脑、笔记本电脑适配器等产品中，保护内部电路免受 ESD 和其他瞬态电压事件的破坏。 5. 工业自动化设备 - 用于保护可编程逻辑控制器（PLC）、传感器、继电器和其他工业设备中的敏感电路，防止因电磁干扰（EMI）或外部浪涌导致的损坏。 6. 医疗设备 - 在医疗仪器中提供关键电路保护，确保设备在高可靠性要求下的正常运行，避免因瞬态电压引起的故障或误操作。 技术特点支持的应用需求： - 高浪涌能力：能够承受较高的瞬态电流，适用于恶劣环境。 - 快速响应时间：在纳秒级别内钳位过电压，保护后级电路。 - 低漏电流：减少对系统功耗的影响，适合低功耗设计。 - 宽工作电压范围：适应多种应用场景的电压需求。 总之，MXLSMCJ12AE3 的设计旨在为各种电子系统提供高效、可靠的过电压保护，特别适合需要高可靠性和耐用性的工业、汽车和消费类应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10561-msmc-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MXLSMCJ12AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 其它名称 | 1086-12062 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 19.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 75.3A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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