Datasheet下载- 型号： MURB1660CTT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MURB1660CTT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MURB1660CTT4G价格参考。ON SemiconductorMURB1660CTT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MURB1660CTT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MURB1660CTT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MURB1660CTT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的二极管整流器阵列，属于 MURB 系列。该器件的主要应用场景包括以下几类： 1. 电源管理 - 用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块中的整流功能。 - 在反激式或正激式转换器中作为输出整流器，提高效率并减少功耗。 2. 电机驱动与控制 - 应用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的电流整流。 - 在电机启动或停止时，用于保护电路免受反电动势的影响。 3. 汽车电子 - 适用于汽车电子系统中的负载切换、电池充电管理和电源保护。 - 在车载信息娱乐系统、照明控制和传感器接口中作为关键整流元件。 4. 工业自动化 - 在工业控制系统中用于信号隔离、功率转换和电源保护。 - 可用于可编程逻辑控制器（PLC）、变频器和伺服驱动器等设备中的整流电路。 5. 消费类电子产品 - 用于适配器、充电器和其他便携式设备的电源整流部分。 - 在家用电器（如冰箱、空调、洗衣机）中作为电源管理的一部分。 特性优势 - 高效率：采用超快恢复技术，降低开关损耗，适合高频应用。 - 低反向漏电流：确保在高温环境下仍能保持稳定性能。 - 高浪涌能力：能够承受瞬态电流冲击，增强系统的可靠性。 - 紧凑封装：TO-263 (D2PAK) 封装设计，节省 PCB 空间，便于散热。 总之，MURB1660CTT4G 以其高效、可靠和紧凑的设计，广泛应用于需要高性能整流功能的各种领域，尤其是在对效率和热管理要求较高的场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 600V 8A D2PAK整流器 600V 16A Ultrafast |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,ON Semiconductor MURB1660CTT4GSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MURB1660CTT4G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 8A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 600V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Rectifiers- UltraFast |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | MURB1660CTT4GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 反向电压 | 600 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | TO-263-3 (D2PAK) |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 恢复时间 | 60 ns |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 100 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 1.5 V at 8 A |
| 正向连续电流 | 16 A |
| 热阻 | 2°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 600V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 8A |
| 系列 | MURB1660CT |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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