【未分类_MUN5335DW1T1】封装/厂家_MUN5335DW1T1中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MUN5335DW1T1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5335DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5335DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5335DW1T1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MUN5335DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5335DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MUN5335DW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，含两个独立的NPN通道，内置基极-发射极和基极-集电极偏置电阻（典型值：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装。

其主要应用场景包括：  
✅ 数字逻辑接口电平转换与驱动：可直接连接微控制器（如GPIO）输出，无需外置偏置电阻，简化PCB设计，常用于驱动LED、小功率继电器或光电耦合器输入端。  
✅ 多路信号开关/缓冲：双通道结构适合需同步控制两路低电流负载（≤100 mA）的场合，如电源使能控制、状态指示切换。  
✅ 工业与消费类电子中的基础开关电路：广泛应用于打印机、家电控制板、传感器信号调理模块中，实现可靠、低成本的开/关控制。  
✅ 替代分立偏置BJT方案：提升生产良率与一致性，减少贴片元件数量，降低BOM成本与装配复杂度。

注意：该器件最大集电极电流为100 mA（每通道），功耗较低（P<200 mW），不适用于大电流或高频（fₜ≈150 MHz，但实际开关速度受RC网络限制）场景；建议工作在饱和区（V_CE(sat)典型值0.15 V @ I_C=10 mA），确保低导通压降。

综上，MUN5335DW1T1是面向空间受限、成本敏感、中低速数字开关应用的理想集成化解决方案。

产品参数图文手册常见问题