Datasheet下载- 型号： MUN5215T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5215T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5215T1价格参考。ON SemiconductorMUN5215T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5215T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5215T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5215T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），无需外部偏置电路，简化设计并提升可靠性。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）GPIO引脚驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光电耦合器，实现5V/3.3V TTL/CMOS信号到负载的开关控制。 - 低压小电流开关应用：最大连续集电极电流IC为100mA，VCEO为50V，适用于便携式设备、家电控制板、传感器模块中的负载通断控制（如指示灯、风扇调速开关、电机启停信号调理）。 - 高可靠性替代传统分立偏置方案：在空间受限的PCB设计（如IoT节点、智能电表、无线模块）中，可替代“BJT+2电阻”方案，减少元件数量、提高一致性及温漂稳定性。 - 反相器/缓冲器功能：利用其饱和/截止特性，构建简单数字反相逻辑单元，用于信号整形或噪声抑制。 该器件采用SOT-23封装，支持表面贴装，具备ESD保护（HBM > 4kV），工作温度范围-55℃~+150℃，适用于工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、消费类电子等中低功率场景。注意：不适用于线性放大或大电流/高频开关（如DC-DC主开关）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5215T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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